在会议室里面，周晓东那是直接上手开始在白板上面开始画出了这种第三代TLC存储颗粒的内部架构电路图。
“为了提高闪存芯片的容量，我设计的这个闪存架构里面字线对应着三个读写单元，我们将电压分成八份，可以表示000001010011100101110111八种状态，最小的存储单元可以表示3个比特。”
在座的众多技术骨干都是技术经验丰富的芯片设计研发人员，在周晓东画出架构电路图后很快便明白了周晓东这种设计概念。
其实浮栅晶体管这种最基本的存储单元发展到现在结构和材料并没有发生太大的变化，往浮栅极里面注入不同数量的电子，将改变晶体管的阈值电压，不同的状态有不同的阈值电压，主控芯片可以通过在控制极加不同的参考电压来判断当前存储单元数据。
像S*LC架构的存储芯片将电压分为两种，而M*LC架构则是分为了四种，现在周晓东将电压分成了八种，这种架构的闪存芯片其实难度最大的地方是在主控芯片的编码算法上，难点尤其在读取数据是芯片如何非常高效快捷地通过加注参考电压通过晶体管的导通和截止状态来判断晶体管里面的数据。
这些研发闪存芯片产商最核心的技术其实就是这种编码算法，看谁用最少次数的电压尝试就能把数据给区分出来。
除了这个，擦除晶体管里面的数据需要加注另外一种电压，还要保证其它晶体管都是导通的，但是这个这种电压是比较大的，这样就会在浮栅极和衬底形成一个较强的电场，可能就把一些电子吸入浮栅极，随着数据读的次数越来越多，中间有些没有读到的晶体管中的浮栅极电子进入越来越多，这会导致里面数据状态发生变化，也就意味着数据出错。
为了避免数据出错，这中间还要加上数据纠错编码技术和坏块管理技术。
目前来说，市面上的闪存芯片还没有导入这种数据纠错技术，因为这种M*LC闪存芯片才刚刚出来，以前的闪存芯片都是S*LC芯片架构，价格更贵，只有一些高端设备或者大企业才能用得起，消费级电子产品是极少使用的，反倒是内存芯片上会用到这种奇偶校验位技术。
不过周晓东这次在向谭小松和刘云生在讲解主控芯片的编码算法时也是将这种数据纠错技术算法也给囊括了进来。
其实不同闪存芯片产商之间用相同的闪存颗粒都会在性能上有很大的差别，最关键的就是体现在闪存控制芯片的性能上面，这种控制芯片其实就是一颗通用处理器来控制闪存芯片，谁家的控制芯片性能好，做出来的闪存芯片产品不论是传输速率和读取数率还是闪存芯片的寿命都大不一样。
其实周晓东在刘云生带领技术团队在研发高速内存控制芯片的时候就已经把控制芯片的IP架构给写好了，这种IP架构是前世他主导开发的一颗高性能的通用处理器IP内核，很多的算法指令集是他自己写出来的，就算是现在用比较落后的制程工艺制备出来同样是性能不俗的。
目前刘云生带领的技术团队已经是快完成了这款控制芯片的设计，这款芯片也会用在闪存芯片上面，只不过芯片里面会写入不同的算法指令代码。
周晓东也没有一次性将太多的的算法给写出来，毕竟现在他罗列出来的一套编码算法已经是让刘云生等技术骨干至少要花不少的时间消化了。